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图4.Graphene+的电子狄拉克性质（Dirac nodalloop）与石墨烯类似，蜘蛛Graphene+也具有狄拉克性质。此外，有严泄无论施加单轴/双轴应变和电场，形成节点环的狄拉克节点都可以保持稳定的表现。

在实际应用中，部曲力学性能至关重要，特别是对于拉胀材料中的负泊松比效应。（3）双向负泊松比，赫兰在x-y平面和±z方向上都存在;（4）平面内半负泊松比，赫兰无论是拉伸还是压缩，材料都会横向膨胀，即只有拉伸的时候表现出负泊松比效应。然而与石墨烯不同的是，德口graphene+中的两个具有近似圆形横截面的独立带交叉形成具有环状分布的狄拉克节点，德口即狄拉克节点环（Dirac nodalloop），主要由pz轨道贡献。

这种负泊松比能够映射到具有sp2-sp3杂化的新型二维碳网络，天机grapheneplus (graphene+)。新版侠材料的本征泊松比行为可分为正（PPR）和负（NPR）泊松比。

蜘蛛图3.面外半负泊松比行为的演化。

与石墨烯不同，有严泄Graphene+具有sp2-sp3杂化的二维碳网络。部曲（c-d）Lix(Ni1-y-zMnyCoz)O2（NMC）和Lix(Ni1-y-zCoyAlz)O2（NCA）的对应共振非弹性X射线散射（RIXS）图。

此外，赫兰阴离子氧化还原是一种高度亚稳态的过程，赫兰在理解动力学在控制这些材料的行为中的作用以及如何通过化学和结构修饰来改变这些动力学过程方面需要取得实质性进展。在理想情况下，德口电压滞后和衰减将通过最小化整体结构演变来消除，尽管在完全没有结构变化的情况下是否可能进行阴离子氧化还原仍然未知。

天机2017年于UCSD获得材料科学与工程博士学位。新版侠（c）由位错网格的形成引起的局部氧堆积序列的演变。